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首页 全部分类 DS1265AB-70IND vs AS6C8016-55ZIN

DS1265AB-70IND 备选型号: AS6C8016-55ZIN

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  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Maxim Integrated
    DS1265AB-70IND
    Maxim Integrated
    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
    10 Weeks
    通孔
    36-DIP Module (0.600, 15.24mm)
    NO
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    36
    3A991.B.2.A
    哑光锡
    8473.30.11.40
    4.75V~5.25V
    DUAL
    未说明
    1
    5V
    2.54mm
    未说明
    DS1265AB
    36
    R-XDMA-P36
    不合格
    5.25V
    5V
    4.75V
    8Mb 1M x 8
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    1MX8
    8
    70ns
    0.0002A
    8388608 bit
    70 ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    AS6C8016-55ZIN
    Alliance Memory, Inc.
    ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55ZIN SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TSOP44
    8 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2008
    -
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    -
    -
    2.7V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    0.8mm
    40
    -
    44
    -
    -
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    8Mb 512K x 16
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    55ns
    0.00005A
    -
    55 ns
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    44
    SMD/SMT
    3V
    1
    60mA
    3-STATE
    19b
    8 Mb
    COMMON
    2V
    1mm
    18.42mm
    10.16mm
    无SVHC
    无
    无铅
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